RV1S9207ACCSP-10YC#SC0
Descrição
Parâmetros técnicos
O driver de porta do optoacoplador RV1S9207ACCSP-10YC#SC0 se destaca por seu design compacto, longa distância de fuga e desempenho robusto. Com uma corrente de saída de pico de 0,6 A (máx.) e 0,4 A (min), ele é excelente no manuseio de diversas cargas. A capacidade de comutação de alta velocidade do dispositivo (tPLH, tPHL=150 ns max) garante uma transmissão de sinal eficiente, enquanto sua impressionante imunidade transitória de modo comum (CMH, CML {{10}} ±50 kV/µs min) o torna ideal para ambientes com alto ruído elétrico. Operando a uma temperatura ambiente máxima de 125 graus e ostentando uma alta tensão de isolamento de 5,000 Vr.ms, o RV1S9207ACCSP-10YC#SC0 prioriza segurança e confiabilidade. Embalado em fita em relevo com 3.500 peças por bobina (RV1S9207ACCSP-10Yx#KC0) e sem Pb, este gate driver estabelece um novo padrão de desempenho e consciência ambiental.
Produtos relacionados:
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Peça do fabricante |
RV1S9207ACCSP-10YC#SC0 |
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Descrição |
DRIVER OPTOISO IGBT MOSFET |
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Estoque |
50000 |
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Status do produto |
Ativo |
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Tecnologia |
Acoplamento Óptico |
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Número de canais |
1 |
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Tensão - Isolamento |
5000Vrms |
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Imunidade transitória de modo comum (mín.) |
50kV/μs |
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Atraso de propagação tpLH / tpHL (máx.) |
150ns, 150ns |
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Distorção da largura de pulso (máx.) |
6ns, 7ns |
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Corrente - Saída Alta, Baixa |
0.6A |
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Corrente - Pico de Saída |
0.6A |
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Tensão - Direta (Vf) (Typ) |
1.56V |
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Corrente - DC direto (se) (máx.) |
20mA |
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Tensão - Alimentação de Saída |
10V ~ 30V |
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Temperatura de operação |
-40 grau ~ 125 graus |
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Pacote/Caixa |
LSOP5(7,5x00,65) |
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Pacote |
Fita e Carretel (TR) |
FORMULÁRIOS:
• IGBT, driver de porta Power MOS FET
•Inversor industrial
•Servo CA
DESCRIÇÃO:
O RV1S9207A é um isolador óptico acoplado contendo um LED AlGaAs no lado de entrada e um fotodiodo, um circuito de processamento de sinal e MOS FETs de saída de energia no lado de saída em um chip. O RV1S9207A foi projetado especificamente para alta imunidade transitória de modo comum (CMR) e alta velocidade de comutação. É adequado para conduzir IGBTs e MOS FETs.
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